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DEPOSIZIONE FILM SOTTILI
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INTRODUZIONE |
Technobiochip
vanta una pluriennale esperienza nel campo della modifica superficiale con le tecniche di deposizione di film sottili Langmuir-Blodgett (LB) e Langmuir-Shaeffer (LS).
Figura 1: esempio di una molecola anfifilica (metallo-porfirina). |
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LA STRUMENTAZIONE |
Lo strumento da noi utilizzato è il KSV 5000, formato da due vasche in teflon termostatate e da due bilance su cui si sistemano due piastre di Wilhelmy (Fig. 1).
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LE TECNICHE |
A) DEPOSIZIONE PER LANGMUIR-BLODGETT (LB)
Figura 1: schema della tecnica Langmuir-Blodgett
Con il KSV 5000, grazie alla doppia vasca, e alle doppie bilance, è possibile effettuare
delle deposizioni ordinate alternate, e quindi ottenere dei film aventi strutture diverse (Fig. 2).
Figura 2: diversi tipi di deposizioni possibili con metodo Langmuir-Blodgett
B) DEPOSIZIONE PER LANGMUIR-SHAEFFER (LS)
Figura 3: schema della tecnica Langmuir-Shaeffer Come tecnica, risulta più veloce della tecnica LB, però presenta delle limitazioni, la più importante è che consente di effettuare solo un tipo di deposizione (Fig. 4).
Figura 4: tipo di deposizione possibile con metodo Langmuir-Shaeffer Ai fini di una deposizione superficialmente omogenea, riveste una grande importanza la cosiddetta isoterma di compressione della sostanza da depositare (Fig. 5). Infatti dall’isoterma si ricava la pressione superficiale target alla quale depositare gli strati di molecola anfifilica.
Figura 5: esempio di isoterma di compressione
Dall’isoterma di compressione è possibile seguire l’andamento dell’impaccamento del monostrato. Infatti, come si può vedere dalla figura 5, andando
da destra verso sinistra, all’inizio il grafico procede parallelamente all’asse dell’ascissa, senza incremento della pressione superficiale (indice di un
disordine molecolare superficiale che ricorda la fase gassosa) (A). Man mano che le barriere vanno a compattare la superficie, si nota un piccolo incremento
della pressione superficiale (B), fino a quando per spostamenti piccolissimi delle barriere, si ha un forte incremento dovuto proprio al raggiungimento
dell’ordine molecolare sulla superficie acquosa (C).
Figura 6: esempio di isoterma di deposizione a pressione target costante |
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